삼성전자는 세계 최초로 3D-TSV(Through Silicon Via) 기술을 적용한 8GB(기가바이트) DDR3 D램을 개발했다고 7일 밝혔다.
3D-TSV 기술은 실리콘 웨이퍼를 수십 ㎛(마이크로미터) 두께로 얇게 만든 칩에 직접 구멍을 뚫고, 동일한 칩을 수직으로 적층해 관통 전극으로 연결한 패키징기법이다.
이는 쌓아올린 칩을 와이어로 연결하는 기존 와이어본딩 방식에 비해 빠르게 동작하는 것은 물론 칩의 두께를 줄이고 소비전력도 줄일 수 있다는 게 삼성전자의 설명이다. 또 기존 제품에 비해 2~4배 큰 대용량을 구현할 수 있다.
삼성전자는 40나노급 2Gb(기가비트) DDR3 D램을 3D-TSV 기술로 적층한 칩을 탑재해 8GB DDR3 RDIMM 제품으로 개발, 지난 10월 제품 성능테스트를 완료했다.
삼성전자는 내년 이후 4Gb 이상 대용량 DDR3 D램에도 3D-TSV 기술을 적용, 32GB 이상 대용량 서버용 메모리 제품도 확대할 예정이다.
아울러 서버업체는 물론 CPU, 컨트롤러 업체들과 협력을 강화해 3D-TSV 서버 모듈 제품의 기반을 넓혀나갈 계획이다.
김창현 삼성전자 반도체사업부 메모리상품기획팀 전무는 "앞으로도 3D-TSV 기술 기반의 대용량 메모리 솔루션을 지속 출시해 고성능 서버시장의 성장을 견인할 것"이라고 말했다.
